Fairchild Semiconductors neue MicroFETs bieten sehr geringe Verlustleistung bei kleinem Formfaktor

Sieben neue Produkte erweitern das industrieweit umfangreichste MicroFET™-Portfolio für 'low-voltage' Applikationen

Mit sieben neuen MicroFET™-Produkten erweitert Fairchild Semiconductor das industrieweit umfangreichste Angebot an ultrakompakten Bauelementen speziell für Niederspannungs-Applikationen im Bereich von <30 V bis <20 V. MicroFETs sind wegen ihrer Kombination aus Fairchilds innovativem PowerTrench®-Prozess und neuester Gehäusetechnologie leistungsfähiger und kompakter als herkömmliche MOSFETs. Das nur 2 x 2 x 0,8 mm kleine MLP-Gehäuse (Molded Leadless Package) ist zum Beispiel 55 Prozent kleiner und in der Bauhöhe 20 Prozent niedriger als die 3 x 3 x 1,1 mm großen MOSFETs im SSOT-6-Gehäuse, die typischerweise für 'low-voltage' Designs verwendet werden. Im Vergleich zu herkömmlichen MOSFETs im SC-70-Gehäuse weisen MicroFETs zudem eine sehr viel geringere Verlustleistung sowie einen sehr niedrigen Durchgangsverlust auf. Aufgrund des kompakten Gehäuses und seiner Leistungsfähigkeit eignet sich der MicroFET vor allem für Akkulader, Lastschalter, Boost-Schaltungen und DC/DC-Umsetzer sowie für zahlreiche weitere low-power Power-Management-Applikationen mit wenig Platz.

Vier der neuen MicroFETs (FDMA1023PZ, FDMA520PZ, FDMA530PZ und FDMA1025P) bieten zahlreiche Konfigurationsoptionen aus einzelnen und zweifachen p-Kanal PowerTrench-MOSFETs und Zenerdioden als ESD-Schutz. Der FDMA1023PZ bietet, um die Systemleistung noch weiter zu erhöhen, garantierte RDS(ON)-Werte bei Gatespannungen (VGS) bereits ab 1,5 V. Diese Bauelemente eignen sich in erster Linie für Lade- und Lastschalter-Applikationen.

Die drei anderen MicroFETs sind Kombinationen aus n- oder p-Kanal MOSFETs mit Schottkydioden. Der FDFMA2P029Z und der FDFMA2P857 kombinieren einen p-Kanal MOSFET mit einer Schottkydiode, die speziell in Hinblick auf Vorwärtsspannung (VF) und Sperrstrom (IR) optimiert wurde, um einen maximalen Wirkungsgrad zu erreichen. Diese zwei Bauelemente sind ideal für Lade-Applikationen geeignet, wo es vor allem auf einen sehr niedrigen thermischen Widerstand ankommt. Das dritte Bauelement, der FDFMA2N028Z, kombiniert die Schottkydiode mit einen n-Kanal MOSFET, was sich ideal für Boost-Applikationen eignet.

Diese bleifreien Bauelemente entsprechen oder übertreffen die gemeinsamen Bestimmungen der Standards IPC/JEDEC und J-STD-20B und sind gemäß den Vorschriften der europäischen Gemeinschaft ausgelegt, die nunmehr in Kraft sind.

Verfügbarkeit: Ab sofort
Lieferzeit: 12 Wochen ARO

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Tabellarische Übersicht der neuen MicroFETs

Über Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor  ist ein weltweit führender Anbieter von analogen und diskreten Leistungshalbleitertechnologien und hält energie-effiziente Lösungen für elektronische Systeme aller Art bereit. Anerkannt als The Power Franchise®, bietet Fairchild führende Silizium- und Gehäusetechnologien, Herstellungsqualität und System-Expertise. 2007 feiert Fairchild sein “50/10” Jubiläum, und zwar 10 Jahre als neues Unternehmen und 50 Jahre in der Industrie. Fairchild ist bekannt als “Vater des Silicon Valley” und entwickelte 1958 den Planartransistor – und damit eine neue Industrie. Heute ist Fairchild ein anwendungs- und lösungsorientierter Halbleiterlieferant mit Online-Designtools und weltweiten Designzentren als Teil der umfangreichen "Global Power Resource™".

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