Fairchild Semiconductor stellt kleinsten (1 x 1,5 mm WL-CSP) Power-MOSFET mit hoher Performance zur Optimierung von 'low-voltage' Powermanagement-Applikationen vor

Neuer PowerTrench® MOSFET erfüllt die elektrischen und thermischen Performanceanforderungen portabler Leistungsapplikationen, beansprucht jedoch 30 Prozent weniger Platinenplatz

Unter der Bezeichnung FDZ191P stellt Fairchild Semiconductor den industrieweit kleinsten p-Kanal MOSFET vor, der in zahlreichen hochvolumigen und tragbaren 'low-voltage' (<20 V) Elektronikgeräten optimale thermische und elektrische Eigenschaften aufweist, wie sie für die Leistungsumsetzung, Lade-Schaltungen und für das Last-Management erforderlich sind. Zu den Anwendungen, für die sich das neue Bauelement besonders eignet, gehören unter anderem Handys, Digitalkameras, MP3-Player, die Medizintechnik sowie andere tragbare Geräte, die zunehmend smarte Funktionen auf immer kleinerem Raum integrieren.

Fairchilds FDZ191P übertrifft mit seiner Performance die meisten am Markt verfügbaren und für 'low-power' Applikationen vorgesehenen Leistungs-MOSFETs. Als PowerTrench® MOSFET ist der FDZ191 in Fairchilds neuestem WL-CSP-Gehäuse (Wafer-Level Chip Scale Package) erhältlich, mit dem sich ein ausgezeichneter thermischer Widerstand (83 °C/W) und ein geringer Durchlasswiderstand (RDS(on) = 67 mOhm an 4,5 V) erzielen lässt. Der FDZ191P in diesem nur 1,0 x 1,5 x 0,65 mm kleinen Gehäuse benötigt gegenüber vergleichbaren Bauelementen 30 Prozent weniger Platz. Mit einer maximalen Bauhöhe von nur 0,65 mm lässt sich der neue MOSFET auch für sehr kompakte und extrem flache Consumer-Produkte verwenden. Die Betriebsspannung kann bis zu 1,5 V herab betragen; ein wichtiger Gesichtspunkt bei der Konzeption des Power-Managements. Darüberhinaus entspricht der FDZ191P den weltweiten "grünen" und RoHS-Vorschriften für Elektronikgeräte.

"Mit dem FDZ191P hat Fairchild die Messlatte im Bereich ultrakleine MOSFETs erneut angehoben. Er unterstreicht Fairchilds Expertise, führende Gehäusetechnologien in Kombination mit hoch komplexem MOSFET-Silizium zu entwickeln," sagte Chris Winkler, Marketingdirektor für das 'Low-Voltage Power Segment'. "Unser wachsendes Angebot an Produkten im 1,0 mm x 1,5 mm
WL-CSP-Gehäuse bietet dem Entwickler ideale Lösungen für die Anforderungen, die 'low-voltage' Schaltungsdesigns an den Platzbedarf und das Power-Management stellen."

Zu den wichtigen Vorteilen des FDZ191P gehören:

1. Extrem kompakt - Bei einem Platzbedarf von nur 1,5 mm2 ist der FDZ191P weniger als 0,65 mm hoch und eignet sich somit für zahlreiche hoch komplexe Applikationen;

2. Exzellente thermische/elektrische Performance - Der FDZ191P bietet auf einer 1" x 1" Kupferfläche exzellente thermische Transfereigenschaften (Rthja = 83 °C/W). Er entspricht ideal den Anforderungen für Power-Management in portablen Anwendungen (typischer RDS(on) beträgt 67 mOhm an Vgs = 4,5 V und 85 mOhm an Vg s = 2,5 V);

3. Hohe Leistungs- und Stromdichte - Auf einer Kupferfläche von 1" x 1" erzielt der FDZ191P eine Verlustleistung (Pd) von 1,5 W und einen kontinuierlichen Drainstrom (ID) von 3 A; und

4. Übereinstimmung mit "grünen" und RoHS-Bestimmungen - Der FDZ191P entspricht hierbei allen weltweiten Standards.

Das bleifreie Produkt erfüllt bzw. übertrifft die gültigen Bestimmungen für bleifreie Produkte gemäß den Standards IPC/JEDEC und J-STD-020C, die mit den Vorschriften der europäischen Gemeinschaft konform sind.

Stückpreis: US$ 0,53 (1000er Stückzahlen)
Verfügbarkeit: Ab sofort
Lieferzeit: 12 Wochen ARO

www.fairchildsemi.com

Über Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor ist ein führender internationaler Anbieter innovativer Leistungsbauelemente für wichtige Applikationen in den Bereichen Computer, Kommunikation, Consumer-Elektronik, Industrie und Automotive. Als The Power Franchise® bietet Fairchild das industrieweit umfangreichste Komponentenportfolio für die System-Leistungsoptimierung an.
Die 9.000 Mitarbeiter von Fairchild entwickeln, fertigen und vermarkten Bauelemente in den Produktbereichen Power, Analog und Mixed-Signal, Interface, Logik und Optoelektronik.