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IGBTs: Automotive-zertifizierter Solderable Front Metal-IGBT für verbesserte thermischer Performance und höhere Zuverlässigkeit
  
 

26.11.2009

IGBTs: Automotive-zertifizierter Solderable Front Metal-IGBT für verbesserte thermischer Performance
und höhere Zuverlässigkeit

International Rectifier stellte jetzt den 1200V-SFM-(Solderable Front Metal-) Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M vor. Er ist sowohl für Hochstrom- / Hochspannungs-Wechselrichtermodule im Automobil, wie sie in Elektrofahrzeugen (EV) und Hybridfahrzeugen (HEV) eingesetzt werden, als auch für andere Antriebe mittlerer Leistung gedacht. Der AUIRG7CH80K6B-M nutzt IR´s Field Stop Trench-Technologie der neuesten Generation, um Leitungs- und Schaltverluste beträchtlich zu reduzieren. Zusätzlich erlaubt die SFM-Ausführung des Bausteins eine doppelseitige Kühlung zur Verbesserung der thermischen Performance. Darüber hinaus entfallen Bondverbindungen, wodurch eine höhere Zuverlässigkeit erzielt wird. Bisher stellen Bonddraht-Verbindungen eine potenzielle Fehlerquelle in Wechselrichtermodulen fürs Automobil dar. Der AUIRG7CH80K6B-M mit seinem Solderable Front Metal-Aufbau erlaubt die Verwendung von Packaging-Techniken ohne Bonddrähte. Dies sorgt in Verbindung mit der Möglichkeit zur doppelseitigen Kühlung für eine verbesserte Wärmeleistung sowie einen höheren Wirkungsgrad. Weiterhin wird die Zuverlässigkeit von Wechselrichtermodulen erhöht. Zu weiteren wesentlichen Leistungsvorteilen zählen ein rechteckförmiger Reverse Bias Safe Operating Area (RBSOA), eine maximale Betriebstemperatur von bis +175°C, eine hohe Spitzen-Abschaltmöglichkeit, ein positiver VCE(ON)-Temperaturkoeffizient sowie eine Kurzschlussfestigkeit von 6 Mikrosekunden. Der AUIRG7CH80K6B-M steht ausschließlich in Chipform zur Verfügung.

Verfügbarkeit

Der Baustein ist entsprechend den AEC-Q100-Standards qualifiziert und Bestandteil der Automotive-Quality-Initiative von IR, die sich eine Null-Fehlerrate zum Ziel gesetzt hat. Produktions-Bestellmengen sind ab sofort lieferbar.

Spezifikationen

Bauteilnummer

Gehäuse

Spannung

Nennstrom

VCE(ON) max. @VGE=15V, TJ=25°C

TJ max.

AUIRG7CH80K6B-M

Chip mi SFM

1200V

200A *

2,45V

+175°C

* abhängig von den thermischern Eigenschaften der Baugruppe

Datenblätter und Qualifikationsstandards stehen auf der International Rectifier-Website unter www.irf.com zur Verfügung.

Zu International Rectifier
International Rectifier zählt zu den führenden Anbietern von Power-Management-Technologien. Analog- und Mixed-Signal-ICs, zukunftsweisende Schaltbausteine, integrierte Leistungsversorgungssysteme und Komponenten von IR® ermöglichen hoch performante Datenverarbeitung. Hersteller von Computern, energiesparenden Haushaltsgeräten, Beleuchtungen, Automobilen, Satelliten, Flugzeugen und Wehrtechniksystemen vertrauen bei der Stromversorgung ihrer Produkte der nächsten Generation auf IR´s Power-Management-Lösungen.

www.irf.com

 

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