International Rectifier stellte jetzt eine Familie von 150V- und 200V-HEXFET^®-Leistungs-MOSFETs mit ultra-niedriger Gateladung (Qg) vor. Die Bausteine sind für den Einsatz in der Industrie ausgelegt, zum Beispiel für Schaltnetzteile (SMPS), unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Umrichter sowie für Gleichstromantriebe. IR´s 150V-MOSFETs bieten eine um bis zu 59 Prozent niedrigere Gateladung als Bausteine des Mitbewerbs. Die neuen 200V-MOSFETs sind durch eine im Vergleich zu Bausteinen des Wettbewerbs um bis 33 Prozent niedrigere Gesamt-Gateladung gekennzeichnet. Mit dem Vordringen von DC/DC-Leistungswandlerapplikationen und steigenden Schaltfrequenzen spielen die Eingangskapazität und die Gateladung eine wesentliche Rolle beim Gesamtwirkungsgrad. IR´s neue 150V- und 200V-MOSFETs sind für schnelle Schaltungen optimiert, bei denen die Schaltverluste von entscheidender Bedeutung sind. Aus diesem Grunde eignen sie sich besonders als Primärschalter für isolierte DC/DC-Wandler zum Einsatz in der Telekommunikation oder zur Steigerung des Wirkungsgrads unter leichten Lasten in jeder modernen DC/DC-Applikation. Die neuen MOSFETs sind für den Einsatz im industriellen Umfeld sowie für Feuchtigkeitsempfindlichkeitspegel 1 (MSL1) qualifiziert. Die Bausteine stehen in den Gehäusen TO220, D2PAK, TO262, DPAK und IPAK zur Verfügung, sie kommen bleifrei auf den Markt und sind RoHS-konform.

Spezifikationen

Zu International Rectifier
International Rectifier zählt zu den führenden Anbietern von Power-Management-Technologien. Analog- und Mixed-Signal-ICs, zukunftsweisende Schaltbausteine, integrierte Leistungsversorgungssysteme und Komponenten von IR^® ermöglichen hoch performante Datenverarbeitung. Hersteller von Computern, energiesparenden Haushaltsgeräten, Beleuchtungen, Automobilen, Satelliten, Flugzeugen und Wehrtechniksystemen vertrauen bei der Stromversorgung ihrer Produkte der nächsten Generation auf IR´s Power-Management-Lösungen.

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