International Rectifier brachte jetzt den DirectFET®-MOSFET IRF6718 auf den Markt. Der neue 25V-Baustein bietet den branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand (RDS(on)) und ist für Gleichstrom-Applikationen wie aktives ORing, Hot-Swap und elektronische Sicherungen (E-Fuse) optimiert. Unter Einsatz von IR´s Siliziumtechnologie der jüngsten Generation ist der IRF6718 der erste Baustein des Unternehmens, der in einem großen (Large Can) DirectFET-Gehäuse untergebracht ist. Er liefert einen extrem niedrigen RDS(on) von nur 0,5 mΩ (typisch) bei 10 Vgs auf einem um 60 Prozent kleineren Platzbedarf sowie eine um 85 Prozent geringere Bauhöhe als ein D2PAK. Damit senkt der neue Baustein die mit dem Durchgangselement verbundenen Leitungsverluste beträchtlich und verbessert den Wirkungsgrad des Gesamtsystems erheblich. Sein im Vergleich zu konkurrierenden Bausteinen wesentlich niedrigerer RDS(on) erzielt in DC/DC-Anwendungen wie beispielsweise Servern einen überlegenen Wirkungsgrad und eine hervorragende thermische Performance, und das auf einer kleineren Montagefläche als ein D2PAK. Darüber hinaus lassen sich, verglichen mit vorhandenen Lösungen, sowohl die benötigte Leiterplattenfläche als auch die Gesamtsystemkosten senken, weil für einen bestimmten Leistungsverlust eine geringere Anzahl von Bauteilen erforderlich sind. Zusätzlich sorgt der IRF6718 für eine verbesserte SOA – Safe Operating Area für E-Sicherungen und Hot-Swap-Schaltungen. Der Baustein wird bleifrei angeboten und ist RoHS-konform. Der IRF6718 stellte eine Erweiterung der 25V-DirectFET-Familie von IR dar, die auf die Anforderungen von DC-Schaltapplikationen ausgerichtet ist. Auch der IRF6717 im mittelgroßen sowie der IRF6713 im kleinen DirectFET-Gehäuse zielen auf Gleichstrom-Applikationen und bieten im Rahmen ihres jeweiligen Platzbedarfs auf der Leiterplatte den besten RDS(on) der Branche.
Entscheidende Spezifikationen
Teilenummer |
RDS(on) typ, @10V (mΩ) |
RDS(on) typ, @4,5V (mΩ) |
VGS (V) |
ID @ TA=25ºC (A) |
Gehäusegröße
(mm x mm) |
RDS(on) typ,
@10V x Größe
(mΩ x mm²) |
IRF6718 |
0,5 |
1,0 |
+/-20 |
61 |
7 x 9,1 |
31,9 |
IRF6717 |
0,95 |
1,6 |
+/-20 |
38 |
4,9 x 6,3 |
29,3 |
IRF6713 |
2,2 |
3,5 |
+/-20 |
22 |
3,8 x 4,8 |
40,1 |
Weitere Informationen stehen zur Verfügung auf der International Rectifier-Website unter:
www.irf.com/whats-new/
Verfügbarkeit und Preis
Die Preise für den IRF6718TR1PbF beginnen bei je 1,50 US-Dollar in Stückzahlen von 10.000. Produktionsbestellungen sind ab sofort verfügbar. Preisänderungen vorbehalten.
Zu International Rectifier
International Rectifier zählt zu den führenden Anbietern von Power-Management-Technologien. Analog- und Mixed-Signal-ICs, zukunftsweisende Schaltbausteine, integrierte Leistungsversorgungssysteme und Komponenten von IR® ermöglichen hoch performante Datenverarbeitung. Hersteller von Computern, energiesparenden Haushaltsgeräten, Beleuchtungen, Automobilen, Satelliten, Flugzeugen und Wehrtechniksystemen vertrauen bei der Stromversorgung ihrer Produkte der nächsten Generation auf IR´s Power-Management-Lösungen.
www.irf.com
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