International Rectifier brachte eine Reihe von 25V und 30V N-Kanal-Trench-HEXFET®-Leistungs-MOSFETs auf den Markt, die sich durch verbesserte Schaltleistung für synchrone Buck-Schaltregler sowie für den Schutz von Batterien auszeichnen. Die neue MOSFET-Familie setzt IR´s bewährte Siliziumtechnologie ein, um einen, neue Maßstäbe setzenden Einschaltwiderstand (RDS(on)) sowie eine verbesserte Schaltleistung zu liefern. Die geringen Leitungsverluste der Bausteine sorgen für einen besseren Volllast-Wirkungsgrad sowie ein besseres thermisches Verhalten, während die geringen Schaltverluste zum Erzielen eines hohen Wirkungsgrads selbst bei niedrigen Strömen beitragen. Die neuen MOSFETs werden auch in einem Power-QFN-Gehäuse angeboten, um im Vergleich zu einem SO-8-Gehäuse eine verbesserte Leistungsdichte zu gewährleisten, behalten dabei jedoch dieselbe Pinout-Konfiguration bei. Abhängig vom Einsatzgebiet erlauben die Doppel-SO-8-MOSFETs einen Austausch "zwei für eins", um auf diese Weise die Anzahl der Komponenten zu verringern.
Verfügbarkeit
Lieferbar sind Einzel- und Doppel-N-Kanal-MOSFETs. Die Einzelbausteine werden – zusätzlich zu D-PAK-, I-PAK- sowie SO-8-Gehäusen – auch in PQFN-Gehäusen 5x6mm und 3x3mm angeboten, die für Großserienproduktion optimiert sind. Hingegen stehen die Doppelbausteine in einem SO-8-Gehäuse zur Verfügung. Die neuen Bausteine sind RoHS-konform und sind zudem halogenfrei erhältlich.
Spezifikationen
Einzel-N-Kanal Bausteine
Teile-Nummer |
Bvdss (V) |
Gehäuse |
RDS(on) max
@10Vgs(mΩ) |
RDS(on)max
@4,5Vgs(mΩ) |
Id @ TC=25°C (A) |
Id @ TA=25°C
(A) |
Qg typ.
(nC) |
IRL(R,U)8256(TR)PBF |
25 |
D-Pak/I-PAK |
5,7 |
8,5 |
81 |
N/A |
10 |
IRL(R,U)8259(TR)PBF |
25 |
D-Pak/I-PAK |
8,7 |
12,9 |
57 |
N/A |
6,8 |
IRF8252(TR)PBF |
25 |
SO-8 |
2,7 |
3,7 |
N/A |
25 |
35 |
IRL(R,U)8743(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
3,1 |
3,9 |
160 |
N/A |
39 |
IRL(R,U)8726(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
5,8 |
8,0 |
86 |
N/A |
15 |
IRL(R,U)8721(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
8,4 |
11,8 |
65 |
N/A |
8,5 |
IRL(R,U)8729(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
8,9 |
11,9 |
58 |
N/A |
10 |
IRFH3702(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 3 x 3 |
7,1 |
11,8 |
N/A |
16 |
9,6 |
IRFH3707(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 3 x 3 |
12,4 |
17,9 |
N/A |
12 |
5,4 |
IRFH7932(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
3,3 |
3,9 |
N/A |
24 |
34 |
IRFH7934(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
3,5 |
5,1 |
N/A |
24 |
20 |
IRFH7936(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
4,8 |
6,8 |
N/A |
20 |
17 |
IRFH7921(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
8,5 |
12,5 |
N/A |
15 |
9,3 |
IRFH7914(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
8,7 |
13 |
N/A |
15 |
8,3 |
IRF8788(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
2,8 |
3,8 |
N/A |
24 |
44 |
IRF7862(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
3,7 |
4,5 |
N/A |
21 |
30 |
IRF8734(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
3,5 |
5,1 |
N/A |
21 |
20 |
IRF8736(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
4,8 |
6,8 |
N/A |
18 |
17 |
IRF8721(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
8,5 |
12,5 |
N/A |
14 |
8,3 |
IRF8714(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
8,7 |
13 |
N/A |
14 |
8,1 |
IRF8707(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
11,9 |
17,5 |
N/A |
11 |
6,2 |
N/A = nicht zutreffend
Doppel-N-Kanal Bausteine
Teile-Nummer |
Gehäuse |
Konfiguration |
Bvdss(V) |
RDS(on) max. @10Vgs(mΩ) |
Vgs max. (V) |
Qg typ. (nC) |
IRF8313PBF |
SO-8 |
unabhängig symmetrisch |
30 |
15,5 |
± 20 |
6,0 |
IRF8513PBF |
SO-8 |
Halbbrücke asymmetrisch |
30 |
12,7 |
± 20 |
7,6 |
15,5 |
5,7 |
Weitere Informationen stehen auf der International Rectifier-Website.
Zu International Rectifier
International Rectifier zählt zu den führenden Anbietern von Power-Management-Technologien. Analog- und Mixed-Signal-ICs, zukunftsweisende Schaltbausteine, integrierte Leistungsversorgungssysteme und Komponenten von IR® ermöglichen hoch performante Datenverarbeitung. Hersteller von Computern, energiesparenden Haushaltsgeräten, Beleuchtungen, Automobilen, Satelliten, Flugzeugen und Wehrtechniksystemen vertrauen bei der Stromversorgung ihrer Produkte der nächsten Generation auf IR´s Power-Management-Lösungen.
www.irf.com
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