Als erste Produkte neuer MOSFET-Familien zeichnen sich die Bausteine durch eine hohe Leitungs und
Schalt-Performance, Robustheit und Platzersparnis aus
STMicroelectronics, ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich der Leistungshalbleiter, hat die Robustheit,
die Schaltleistung und den Wirkungsgrad von Leistungs-MOSFETs für Lampen-Vorschaltgeräte
(in denen sie im PFC und Halbbrücken-Teil eingesetzt werden) und für Schaltnetzteil-Applikationen weiter verbessert. Die Verwendung der innovativen SuperMESH3-Technologie mit niedrigerem On-Widerstand garantiert einen höheren Wirkungsgrad. Dank ihrer herausragenden dv/dt-Performance und ihrer höheren Durchbruchspannungs-Reserven zeichnen sich die neuen Bauelemente außerdem durch mehr Zuverlässigkeit und Sicherheit aus.
Als erste SuperMESH3-Bausteine wird der STx6N62K3 (620 V) eingeführt, gefolgt vom STx3N62K3 (ebenfalls 620 V) sowie den 525-V-Versionen STx7N52K3 und STx6N52K3. Der von der SuperMESH3-Technologie ermöglichte niedrigere On-Widerstand äußert sich durch eine Senkung des RDS(on) im DPAK-Gehäuse auf 1,28 Ω im Falle des STD6N62K3 für 620 V bzw. auf 0,98 Ω in der 525-V-Ausführung STD7N52K3. Das Resultat ist ein höherer Wirkungsgrad für Anwendungen wie etwa Vorschaltgeräte für Energiesparlampen. Durch die neue Technologie reduzieren sich auch der Trr-Wert (Sperrverzögerungszeit), die Gateladung und die inhärente Kapazität, sodass sich die Schalt-Performance verbessert und höhere Schaltfrequenzen erzielt werden können.
Als weiteren Pluspunkt der SuperMESH3-Technologie, in der die Strip-Topologie mit einer optimierten vertikalen Struktur kombiniert wird, werden die neuen Bausteine auch eines der klassenbesten dv/dt-Verhalten aufweisen.
Dies wiederum äußert sich durch mehr Zuverlässigkeit und Sicherheit in Beleuchtungs-Systemen und anderen elektrischen Consumer-Anwendungen. Alle SuperMESH3-Produkte sind zu 100 % auf ihre Lawinendurchbruchfestigkeit geprüft und zeichnen sich dank der eingebauten Z-Dioden durch rundum robuste Eigenschaften aus.
Durch den niedrigsten On-Widerstand pro Flächeneinheit aller vergleichbaren Hochspannungs-Technologien mit kurzer Sperrverzögerungszeit macht es die SuperMESH3-Technologie möglich, die Bausteine STx6N62K3, STx7N52K3, STx3N62K3 und STx6N52K3 mit kleineren Gehäusen (z. B. DPAK) anzubieten als alternative Produkte mit ähnlichen Kenndaten. Dies ermöglicht einen kleineren Footprint und spart Leiterplattenfläche, obwohl bezüglich der Schalt und Temperatur-Performance gegenüber den größeren Bausteinen keine Abstriche gemacht werden müssen.
Der STx6N62K3 wird in den Gehäusetypen IPAK, DPAK, TO-220 und TO-220FP angeboten und kostet ab ,
62 US-Dollar (ab 1.000 Stück).
Der STx3N62K3 mit 2,5 Ω On-Widerstand wird im IPAK , DPAK , D2PAK , TO-220 und TO-220FP-Gehäuse lieferbar sein. Den STx7N52K3 (0,98 Ω) wird es mit DPAK , D2PAK , TO-220 und TO-220FP-Gehäuse geben, den STx6N52K3 (1,2 Ω) als DPAK und TO-220FP-Version. Diese Serien werden das 620 V und 520-V-Portfolio der SuperMESH3-bereichern, dessen Massenfertigung im vierten Quartal 2008 beginnt.
Über STMicroelectronics
STMicroelectronics ist ein führender Entwickler und Lieferant von Halbleiter-Lösungen für das gesamte Spektrum mikroelektronischer Applikationen. Mit einer Kombination aus Halbleiter- und System-Know-how, Fertigungs-Kompetenz, einem reichhaltigen Intellectual Property-Portfolio (IP) und strategischen Partnern hat sich das Unternehmen an die Spitze der System-on-Chip-Technologie (SoC) gesetzt.
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